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A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP31D0UFB4
1.6
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1.2
1.0
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1.6
1.4
1.2
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0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
0
0
2 4 6
8
1.6
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.7
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 6 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.4
V GS = -4.5V
1.5
1.2
1.3
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
1.1
0.9
0.7
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
1.0
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
1.6
1.4
1.2
Fig. 7 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.4
1.2
1.0
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = -2. 5V
I D = -250m A
V GS = -4.5V
I D = -500m A
0.6
0.4
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 9 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMP31D0UFB4
D atasheet number: DS35587 Rev. 1 - 2
4 of 7
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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